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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于工件在真空、無氧化下固溶、淬火、退火，燒結等連續(xù)生產的熱處理工藝。
優(yōu)勢與特點：
模塊化設計（3室～多室），可根據(jù)工藝生產節(jié)奏進行拓展。
底部配有滾輪及軌道，便于安裝、調試與維修。
傳動動作平穩(wěn)，安全可靠。
目前該設備已形成系列化產品，不在系列范圍內的可根據(jù)客戶要求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：mamount.com
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