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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于制備大型納米碳材料，如碳納米管粉、碳納米管薄膜和定向碳納米管制備。
優(yōu)勢與特點：
采用封閉式管式爐，石英反應管直徑可達600mm*1500mm。氣源包括氫氣、氮氣、甲烷、酒精等控溫方式采用多區(qū)串級控制，溫度均勻性好，升溫速度快，溫度過沖少。
可選項：
真空泵組：進口、國內(nèi)優(yōu)質(zhì)品牌。
目前該設備已形成系列化產(chǎn)品，不在系列范圍內(nèi)的可根據(jù)客戶要求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：mamount.com
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